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英特尔首推芯片堆叠技术:打造10nm级芯片挑战台积电

2018-12-14 09:20:23    澎湃新闻  参与评论()人

据科技网站The Verge12月13日评论,这一策略大部分围绕着将一个现代CPU(中央处理器)的各种元素分解成独立、可堆叠的“芯片组合”。这个在芯片内部堆叠处理器组件的方法是英特尔业内首创。

堆叠内存的技术现在已经有了,英特尔想将类似的堆叠技术放到CPU里去,让其设计人员能够在已经组装好的芯片上大幅增加额外的处理能力。这样芯片上的内存、功率调节、图像和人工智能处理都可以组成单独的小芯片组,其中一些可以堆叠在一起。这种方式能够获得更高的计算密度和灵活性。

这种模块化的方法也促使英特尔完成了其最大的挑战之一:打造完整的10nm级芯片。

英特尔此前10nm级芯片的计划总是不能完成,公司被认为在该项目中面临着难以克服的工程挑战。这次,为了实现Foveros,英特尔做了一些“2D堆叠”将各种处理器组件分离成更小的芯片,每个芯片都可以使用不同的生产节点制造,因此英特尔可以交付名义上的10nm级CPU。

英特尔还推出了Sunny Cove CPU架构,明年下半年,Sunny Cove将成为英特尔下一代酷睿和志强处理器的核心,它能够改善延迟并允许更多并行操作(更像GPU)。

在显卡方面,英特尔推出了新的第11代集成显卡,旨在打破每秒1万亿浮点运算次数的障碍,它也会是2019年10nm级CPU的一部分。英特尔还重申了将于2020年推出一款独立的图像处理器(GPU)的计划。

业界首创的逻辑芯片3D堆叠

英特尔展示了名为“Foveros”的全新3D封装技术,该技术首次引入了3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片上堆叠逻辑芯片。

英特尔此次推出的“Foveros”3D封装技术为整合高性能、高密度和低功耗硅工艺技术的器件和系统铺平了道路。它有望首次将晶片的堆叠从传统的无源中间互连层和堆叠存储芯片扩展到高性能逻辑芯片,如CPU、图形和人工智能处理器。

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