根据2009年7月1日生效的《工商行政管理机关查处垄断协议、滥用市场支配地位案件程序》第二十条第二款，组织垄断协议的经营者即便主动向反垄断执法机构自首，仍无法被酌情减轻或免除罚款。而2011年2月1日生效的国家发改委《反价格垄断行政执法程序规定》第十四条则没有排除组织垄断协议的“带头大哥”自首后获得免罚的可能性，以至于在多个价格垄断协议案件中使最初组织垄断协议，对竞争环境造成严重扭曲，为下游企业或消费者的带来损失的“始作俑者”可以在“浪子回头”时，无需负担任何违法成本。

如果DRAM内存条价格确实被三家寡头企业操纵，那么假如在前述反垄断法配套规则没有统一前自首，这三家企业中的某“带头大哥”或许还能免于中国执法者的处罚。但是，这样的可能性很低，因为在欧美国家，组织卡特尔的企业即便自首也无法逃脱处罚，而且可能面临高额民事赔偿，甚至会有涉案经理人锒铛入狱。

所以，除非相关企业内部经理人间出现“内讧”，通过向反垄断执法机构提交价格操纵的证据，使部分高管通过“借刀杀人”排除异己，否则外界恐怕很难获得这样的证据。

　　三、美光是否涉嫌滥用市场支配地位？

实际上，半导体市场面临从二维NAND闪存（2D NAND Flash）转移至三维NAND闪存（3D NAND Flash）的技术迭代，三星、SK海力士和美光在加大投资技术更先进的NAND闪存的同时，再继续扩大DRAM内存条产能的边际收益很可能是递减的。因此，即便不进行任何形式的交流，通过“不谋而合”地限制产能来推高价格无疑是最符合这三家企业共同利益的。

但是，技术迭代仍旧会有个过程，市场对二维NAND闪存的需求仍旧会持续相当一段时间，因此也吸引了一些厂家进入二维NAND闪存市场，其中也包括中国企业。在这种情况下，如果内存条市场的三大寡头限制新进入者获得二维NAND闪存上游原材料、生产设备、技术授权，就可能涉嫌构成滥用共同市场支配地位。

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