晶圆代工演绎三国杀 英特尔示威三星、台积电(2)

与此同时，三星电子也在追赶，除了2017年8纳米LPP制程进入风险试产外，2018年将推出7纳米，同时，三星也表示2019年将推出5、6纳米制程，2020年投产4纳米并导入环绕式闸极架构。AMD今年推出的Ryzen处理器更是使用了由格罗方德提供的的14nm LPP(Low Power Plus低功耗加强版)工艺，简单来说，英特尔的竞争对手们都在发力。

面对对手激进的“数字追赶”，英特尔在活动现场也用了数据回击，演讲嘉宾的PPT中甚至直接列举了英特尔在包括10纳米在内各个节点上逻辑晶体管密度的数量，并与台积电、三星做直接相比，从图表上看，英特尔在10纳米工艺上具有明显领先优势。

英特尔执行副总裁，制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith对记者表示，英特尔的超微缩技术让英特尔能够加速推进晶体密度的提升。以10纳米制程为例，英特尔产品的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。

Gartner研究副总裁盛陵海认为，节点的命名都是从自身利益出发。“从业务上看，三星和台积电的代工属性会推动其更快的使用换代产品，哪怕只是一部分的创新，也可以叫做下一代。”盛陵海对记者表示，英特尔则不一样，作为摩尔定律的坚定拥护者，在芯片数量和成本上，英特尔更加严谨。

提速代工业务

除了加快在节点推进上的速度，在台积电与三星争抢的晶圆代工领域，英特尔也有了新的动作。

在活动现场，英特尔正式对外公布了采用英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工平台的下一代FPGA计划，以及推出22FFL(FinFET 低功耗)平台。英特尔公司技术与制造事业部副总裁 英特尔晶圆代工业务联席总经理Zane Ball对记者表示，22FFL可以满足入门级的移动产品以及入门级的物联网设备技术需求。

事实上，虽然三星在代工上声势很大，但从份额上看，台积电依然是这个领域的老大。根据根据市场调查研究机构IC Insights 的报告显示，2016 年，台积电独占全球晶圆代工市场 59% 的市占率。2016年台积电全年营收9479.38亿新台币(人民币2166.71亿)，过去五年来台积电的加权平均毛利率为48.6%。而英特尔的工厂过往大部分是自用。