主宰半导体世界51年的“摩尔定律”这回真的走到终点了？(3)

在传统上，这些不同类型的组件要通过不同的制造过程来处理它们的不同需求，而新的路线图则概述了将它们组合在一起的计划。集成不同的制造工艺和处理不同的材料需要新的工艺和支持技术。对于为这些新市场推出芯片的制造商来说，应对这些问题可谓比煞费苦心将芯片上的晶体管数量翻倍更重要。

此外，超越了硅CMOS工艺的新技术也将得到重视。英特尔已经宣布，将在7纳米时放弃硅。锑化铟（InSb）和砷化镓铟（InGaAs）有望成为新宠，并提供比硅更高的速度和低得多的功率。纳米管和石墨烯形式的碳将继续被研究且前景光明。

虽然已不再是第一考量，对尺寸缩小的研究也并没有完全被放弃。大约在2020年，超越三栅极晶体管的“全栅”晶体管和纳米线将问世。21世纪20年代中期将出现单片型3D堆叠技术，即在一块硅片上集成多层元件。

至于未来，大规模的缩小体积也并非全然不可能。使用替代材料、不同的量子效应，甚至更为奇特的技术如超导材料，都可以在未来的几十年中轻轻松松让芯片体积再缩小，甚至是过去十五年中更复杂的缩放。足够大的提升甚至可以重振市场对处理器的需求，这些处理器将仅仅是速度更快，而非更小或更低的功率。

但现在，打破定律将成为新常态。作为预言或准则的摩尔定律，已经走到了终点。

（原标题：这一次，摩尔定律真完了）