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SK海力士将在Q2生产第二代10nm工艺内存

2019-04-28 16:43:45    TechWeb.com.cn  参与评论()人

【TechWeb】近日,SK海力士宣布将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10nm级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出,最终降低成本,并为下一代内存做准备。

SK海力士首款1Y nm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,与使用其1X nm制造技术制造的类似器件相比,新工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。

据报道称,新1Y nm工艺不仅适用于年内增产的DDR4产线,也适用于DDR5、LPDDR5、以及GDDR6 DRAM的制造。有鉴于此,Sk海力士必须尽快提升二代10nm制造工艺。

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