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【TechWeb】近日,SK海力士宣布将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1X nm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10nm级制造技术(又名1Y nm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出,最终降低成本,并为下一代内存做准备。
SK海力士首款1Y nm工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,与使用其1X nm制造技术制造的类似器件相比,新工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。
据报道称,新1Y nm工艺不仅适用于年内增产的DDR4产线,也适用于DDR5、LPDDR5、以及GDDR6 DRAM的制造。有鉴于此,Sk海力士必须尽快提升二代10nm制造工艺。
【TechWeb】由于智能手机制造市场表现疲软,内存芯片价格持续下跌,纵使SK海力士这样的大厂商,也遭遇了2012年来最大的营收滑坡, 第1季营业利润同比大跌69%至1.4万亿韩元
【TechWeb】2月21日消息,据国外媒体报道,全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四表示,公司计划在2022年后投资120万亿韩元(约合1066.6亿美元)在韩国新建四座半导体晶圆厂
(原标题:芯片量价齐跌SK海力士一季度利润大跌69%) 作者: 陶旖洁 一季度,全球第二大记忆芯片制造商利润创下2012年来的最大跌幅。公司预计DRAM芯片需求将从二季度起复苏