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三星今明两年将在NAND闪存上投入150亿美元
今年以来，Flash闪存供应充足，SSD的价格从去年的高位被“打回原形”，消费者终于可以慢慢挑选了。
据Chosun Ilbo报道，韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。
这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。本周，三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存，采用96层堆叠、单Die 32GB容量，领先竞争对手两年的时间。
IC Insights分析指出，三星释放信号仅是个开端，未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能，由此可能会出现供应量刹不住车的超调风险。
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三星
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