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内存价格暴涨期终结,美国存储器巨头美光下调资本支出和产量(2)

2018-12-20 09:25:44    第一财经  参与评论()人

但受中美贸易摩擦影响,加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素,导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭,NAND Flash各类产品合约价仍走跌,第三季平均价格跌幅达10-15%。

展望第四季度,DRAMeXchange分析师叶茂盛指出,由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存,以及中美贸易摩擦持续进行,导致需求持续走弱,预计第四季仍维持供过于求态势,各类产品合约价跌幅加剧。

对于DRAM,该机构称,10月份的DRAM合约价已经正式走跌,除了宣告DRAM价格涨势告一段落,供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈。

预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前,2019年第一季的合约价恐将面临更大的跌价压力。

Sanjay在电话会议上也表示,DRAM价格疲软的态势将持续。“由于DRAM价格长期上涨,我们认为部分客户的库存高于正常情况。随着DRAM供应赶上需求,这些客户正在降低库存水平。”

他指出,智能手机业务部门的需求也在继续减弱。此外,英特尔CPU短缺的影响也在持续。 “虽然我们的客户以及市场对工业、云、企业等细分市场的需求是稳健的,但此次库存调整期将导致DRAM的需求疲软,并将可能会持续到2019年上半年。”

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