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时间差距导致的结果是,2015年,台积电28纳米已经折旧完毕开始打价格战挤垮其他对手。而中芯国际28纳米的PolySiON制程工艺目前才逐渐成熟,更高端的HKMG制程还难言成熟。2017年中芯28纳米收入只占到公司晶圆收入的8%。但是竞争对手台积电2015年就实现了14/16纳米芯片商业化量产,当下已经实现10纳米量产,7纳米的芯片也已经在2017年4月开始试产。
2016年,台积电营业收入的54%来自于40纳米及以下制程技术,格罗方德的比例为48%,联电为18%,中芯国际仅有2%。截至2017年第二季度末,台积电28纳米以下的中高端制程芯片已经占总收入的54%,40纳米以下占67%。
而中芯国际2017年收入贡献度最高的还是来自于90纳米及以下的制程技术,占比达到50.7%。2017年中芯14纳米技术的研发也才到关键的突破期,尚未完成开发。由此可见,当中芯国际还在28纳米挣扎时,台积电的技术已经至少遥遥领先三代。
技术、研发差距的背后往往是资金投入的差距。
半导体是高度依赖投资的产业。以2016年为例,在积体电路资本支出方面,三星是113亿美元,台积电是102.5亿美元,英特尔是96.25亿美元,基本都在百亿美元量级。而2016年中芯国际的资本支出是26.26亿美元。
在研发费用层面,台积电2016年研发费用达22亿美元,而中芯当年共投入研发费用3.18亿美元。两者差距十分明显。
不过,外界也有说法认为,中国的“缺芯”之苦一个重要的原因在于,用于生产芯片的光刻机一直被西方发达国家掐住。受西方《瓦森纳协议》的限制,大陆厂商只能买到光刻机巨头ASML的中低端产品,出价再高,也无法购得ASML的高端设备。这直接导致台积电、三星等在制程上大幅领先中芯国际。
4月20日,《每日经济新闻》记者就中芯国际为何在研发进展上落后等问题向中芯国际的媒体联系人发去采访邮件,但截至发稿尚未收到回复。
●市场冷落人才弱势
芯片市场是个“强者恒强”的市场。技术上的差距,导致在同等级别制程的芯片产品上,中芯国际即使价格更低,也依然“门可罗雀”。
而另一边,因为有足够的市场销售支撑产品的迭代,台积电和三星即使大手笔投入研发,产品毛利率依然非常高。台积电2016年年报显示,其ROE(净资产收益率)为25%,净利润率为33%。而中芯国际2016年ROE仅10%。
站在客观角度看,同等级别的制程工艺,国产厂商能做,但不一定意味着能做得更好。
此外,中芯国际和台积电的差距,不得不提的还包括中芯国际在人才上的弱势。
人才储备不足,终究还是因为大陆在集成电路产业上起步晚。这两年中芯国际在加大力度引进新鲜技术“血液”。2017年10月,拥有台积电、三星从业背景的“技术狂人”梁孟松加入中芯国际,担任联合首席执行官;周梅生也被任命为公司技术研发执行副总裁,周梅生最早在台积电时就是在梁孟松手下工作。