招商电子从技术层面详细分析了中兴通讯涉及的产业链上下游和国外企业的差距，主要涉及三个层面：

（1）RRU基站：技术更迭快，门槛高企，自给率最低。

RRU基站这一产品，分为发射端和接收端两种情况。

发射端主要作用是将基带信号(BB)，转化为中频（IF），再进一步调制到高频（RF）并发射出去。目前能够实现国产替代并大规模商用的，只有主处理器，即FPGA，DSP。主要是海思自研的ASIC。

除此之外，国产芯片厂商中，南京美辰微电子在正交调制器，DPD接收机，ADC等芯片产品上已有可量产方案。并参与了国家重大专项《基于SiP RF技术的TD-LTE TD-LTE-Advanced TD-SCDMA基站射频单元的研发》，目前在ZTE处于小批量验证中。

和发射端类似，目前只有海思的主处理器可以实现大规模商用替代。而南京美辰微电子的混频器，VGA，锁相环，ADC 处于小批量验证中。

招商电子认为，“基站芯片的成熟度和高可靠性和消费级芯片不可同日而语，从开始试用到批量使用起码需要两年以上的时间”。目前在中频领域，主要玩家有TI，ADI，IDT等厂商；而射频领域，主要是Qorvo等。

同时，TI，ADI还在推动单芯片解决方案，以实现微基站对于RRU体积大小的要求。如下图中的TI AFE75XX系列，及ADI的AD936X等。单芯片Transceiver方案进一步提升了基站芯片的门槛，使得国产厂商更加难以切入。基站芯片的自给率几乎为0，成为了中兴通讯本次禁运事件里最为棘手的问题。

（2）光通信领域：自给率尚可，高端芯片仍需突破。利好光迅科技，博创科技

光模块从应用领域要分为接入网（PON）和数传网（DT）两大类，二者芯片方案不同，封装也大相径庭。以下以接入网光模块为例，讨论芯片方案。光模块内主要采用的芯片有MCU，TIA（跨阻放大器），APD（雪崩光二极管），LA (Limiting Amplifier)，LD（Laser Driver），激光器芯片（Vcsel，DFB，EML），DWDM等。

目前光迅科技的光通信芯片产品主要有DFB、Vcsel、APD等；博创科技则是PLC 光分路器和 DWDM 器件龙头；而南京美辰微电子及厦门优讯则在TIA，LA，LD领域有产品已实现大规模量产。本次禁运事件对于上述已具备成熟芯片方案的厂商是一大利好。该领域的国际竞争对手主要有Semtech，Micrel（被Microchip收购），Mindspeed（被Marcom收购）等。

虽然光通信芯片自给率尚可，但在一些高端产品，如数传网100G及以上光模块中，国产芯片方案仍待突破，建议关注非上市公司芯耘光电，公司预计在2019年完成100G芯片方案研发。除此之外，光模块还会用到256m和128m的大容量Nor Flash，兆易创新在2017年年底推出的相关产品在各大光模块厂商处已经形成销售。

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